用途: 该设备主要用于在硅片衬底生长碳纳米管阵列以及纳米材料工艺涂层、多晶硅、氮化硅、扩散、氧化、退火等工艺。

设备系统简介

◎ 结构型式: 卧式,单管或多管系统自动控制

◎ 适应晶体尺寸: 2-8"

◎ 送取片方式: 自动悬臂石英推拉舟,配合手
   动取、放片方式。

◎ 最高温度: 1000℃

◎ 工作温度: 400℃~850℃连续可调

◎ 单点温度稳定性: ≤±1℃/24h

◎ 系统极限真空度: 优于3Torr

◎ 抽速: 抽至极限真空时间<15Min。

◎ 工作压力范围: 10-760Torr连续可调