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晶圆薄膜静态生长立式CVD.jpg

新材料制备设备



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主要特点

◎ 石墨烯薄膜晶圆生长产能(产业化)设备;

◎ APC系统:真空碟阀自动控制;

◎ 碳源等工艺气体MFC控制     

◎ 薄膜制备过程全自动控制;

◎ 快速冷却功能


主要参数

◎ 腔室直径:250mm

◎ 恒温区:400mm

◎ 工艺管材质:SIC/石英

◎ 极限真空:小于3Pa;

◎ 装取料方式:升降机构(速度可调)

◎ 工艺温度:1020℃~1050℃                 





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